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氧化鎵檢測

發(fā)布時間:2024-03-07

關鍵詞:氧化鎵檢測

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來源:北京中科光析科學技術研究所

文章簡介:

中科光析科學技術研究所可依據(jù)相應氧化鎵檢測標準進行各種服務,亦可根據(jù)客戶需求設計方案,為客戶提供非標檢測服務。檢測費用需結合客戶檢測需求以及實驗復雜程度進行報價。
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因業(yè)務調整,部分個人測試暫不接受委托,望見諒。

氧化鎵檢測

氧化鎵是一種重要的半導體材料,廣泛應用于電子產(chǎn)品、光電子器件等領域。對氧化鎵的檢測十分重要,可以保證產(chǎn)品質量、性能穩(wěn)定性,及時發(fā)現(xiàn)問題并采取措施解決。

檢測范圍

氧化鎵檢測主要涉及晶體表面質量、雜質含量、結晶形貌等方面。

檢測項目分類

1. 晶體表面質量:主要包括表面平整度、表面氧化膜厚度等。

2. 雜質含量:檢測氧化鎵中可能存在的雜質元素,如硅、鋅等。

3. 結晶形貌:觀察氧化鎵晶體的結晶狀態(tài),是否存在晶界、晶粒尺寸等。

檢測方法

1. 表面質量檢測:可采用光學顯微鏡、掃描電鏡等設備進行表面觀察。

2. 雜質含量檢測:常用的方法有ICP-OES、ICP-MS等分析儀器。

3. 結晶形貌:X射線衍射、電子衍射等方法可用于觀測晶體結構。

檢測儀器

1. 光學顯微鏡:觀察晶體表面細微結構。

2. ICP-OES:用于檢測雜質元素含量。

3. X射線衍射儀:分析晶體結構。

服務優(yōu)勢

1. 提供準確的檢測數(shù)據(jù),幫助企業(yè)掌握產(chǎn)品質量狀況。

2. 擁有正規(guī)的技術團隊和先進的檢測儀器,保障檢測結果的可靠性。

3. 快速響應客戶需求,提供定制化的檢測方案,滿足不同行業(yè)的需求。

氧化鎵檢測標準列舉

  • YS/T 741-2010 氧化鎵
  • YS/T 741-2010(2017) 氧化鎵Gallium oxide
  • YS/T 979-2014(2017) 高純三氧化二鎵
  • YS/T 979-2014 高純三氧化二鎵
  • SJ 21444-2018 β-Ga2O3-N型氧化鎵單晶片規(guī)范
  • GB/T 1475-2022 鎵Gallium
  • YS/T 948-2014 鎵廢料
  • YS/T 948-2014(2017) 鎵廢料
  • QB/T 2943-2008(2017) 碘鎵燈Gallium iodide lamps
  • YS/T 1526-2022 鎵鎂合金
  • GB/T 10118-2009 高純鎵High purity gallium
  • YS/T 980-2014(2017) 高純三氧化二鎵雜質含量的測定 電感耦合等離子體質譜法Determination of impurities of high purity gallium oxide —Inductively coupled plasma-mass spectrmetry
  • SJ 20842-2002 砷化鎵表面鎵砷比的測試方法Test method for Ga/As ratio of surface of gallium arsenide
  • YS/T 980-2014 高純三氧化二鎵雜質含量的測定電感耦合等離子體質譜法
  • QB/T 2943-2008 碘鎵燈
  • GB/T 20229-2022 磷化鎵單晶Gallium phosphide single crystal
  • GB/T 10118-2023 高純鎵High purity gallium
  • GB/T 39859-2021 鎵基液態(tài)金屬
  • YS/T 1653-2023 氮化鎵襯底片
  • YS/T 742-2010 氧化鎵化學分析方法 雜質元素的測定 電感耦合等離子體質譜法
  • CNS 13624-1995 砷化鎵晶體結晶完整性檢驗法(熔融氫氧化鉀浸蝕法)Test Methods for Crystallographic Perfection of Gallium Arsenside by Molten Potassium Hydroxide(KOH)Etch Technique
  • YS/T 742-2010(2017) 氧化鎵化學分析方法 雜質元素的測定 電感耦合等離子體質譜法Methods for chemical analysis of gallium oxide--Determination of impurities--Inductively coupled plasma mass spectrometer method
  • GB/T 20228-2021 砷化鎵單晶Gallium arsenide single crystal
  • SJ 3242-1989(2017) 砷化鎵外延片Gallium arsenide epitaxy wafers
  • GB/T 37466-2019 氮化鎵激光剝離設備
  • YS/T 1156-2016(2017) 銅銦鎵硒靶材
  • GB/T 37007-2018 電子級三甲基鎵
  • SJ 3242-1989 砷化鎵外延片
  • JC/T 2148-2012(2017) 硅酸鎵鑭壓電晶體Langasite piezoelectric crystal
  • YS/T 1156-2016 銅銦鎵硒靶材
  • 更多氧化鎵檢測標準可咨詢工程師,工程師會根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點、不同行業(yè)和不同國家的法規(guī)標準以及客戶的需求,選取相應標準的項目和方法進行氧化鎵檢測。

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